金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，成都鸿辰光子半导体科技有限公司申请一项名为“一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法”的专利，公开号 CN 119381892 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法，设计半导体芯片技术领域；本方案在量子垒层厚度和电子阻挡层厚度保持恒定情形下，对部分或全部量子垒层中替换插入第一替换层，在电子阻挡层中替换插入第二替换层；以提高了量子垒能带势垒高度，同时降低了空穴有效势垒高度，大大提高有源区的辐射复合效率，从而有效提高 AlGaN 深紫光电芯片结构的内量子效率和发光效率；方案还通过参数组合模型中，集合按照单位调整量调整动态参数，组合出多个动态参数组集合，只对动态参数组集合进行模拟仿真和计算，从而确定出最优动态参数组，得到高内量子效率的光电芯片结构；避免了对大量参数的模拟仿真和计算，提升高内量子效率的光电芯片结构的生产效率。

天眼查资料显示，成都鸿辰光子半导体科技有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币，实缴资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都鸿辰光子半导体科技有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员